安徽大学何刚教授团队在电子器件场效应显示器件研究领域再获进展

近期， 四川大学机械工程与交通学院何刚大学教授小组在集成电路场现像显示集成电路研究领域再获进展，相关学术论文分别以High-performance thin film transistors and inverters based on ALD-derived Al2O3-passivated CeO2 bilayer gate dielectric和“Enhanced Electrical Performance and Low Frequency Noise of In2O3 Thin-Film Transistors Using Al2O3/CeGdOx Bilayer Gate Dielectrics”为题发表在亚太地区微电子集成电路领域顶尖刊物《IEEE Transactions on Electron Devices》上。四川大学机械工程与交通学院2020级博士博士生王雷妮为第一作者，何刚大学教授为论文的点对点作者，四川大学为第一点对点单位。

大面积集成及很低强度马达是未来低功耗亚洲台显示领域产业的目标，国家在此领域有重大生产力。氧化物薄膜晶体管因很低迁移率、透明及大面积集成等优势已成为当前平板显示集成电路的核心马达元件，但纳米尺度薄膜晶体管的管理模式失稳和输运愈合已成为未来大大小亚洲台显示集成电路的发展的技术失常。

针对这些问题，何刚大学教授小组围绕纳米尺度多晶氧化物薄膜晶体管的管理模式设计、输运抑制及可靠性快速评估推展了研究。借助低温溶液法则获取了对电离杂质具有绝佳介电屏蔽现像的铝基很低电容器电导率石城流体；采用ALD钝化及界面有缺陷态修复等手段，功构筑很低迁移率（~27.28 cm2 V-1S−1）且超低界面态(Dit~1.64×1011 cm-2)的 In2O3基薄膜晶体管集成电路和很低增益全摆幅放大器逻辑电路（~16）。该系列研究员有望消除多晶氧化物薄膜晶体管性能愈合的关键技术不利因素，促进氧化物TFT基础学术论文走向大规模应用。

In2O3/Al2O3/CeGdOx-TFTs的稳定性及低频频率功能性测试左图

该研究员得到科研项目面上项目(11774001、51572002)、物科院开放基础理论(S01003101)及安徽省领军英才小组项目(Z010118169)联合拨款。

文章镜像：DOI: 10.1109/TED.2022.3140405；

DOI: 10.1109/TED.2022.3164632。

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